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電腦內(nèi)存中的CL值及FSB的中文概念是什么?

CL是CAS Latency的縮寫，是內(nèi)存性能的一個重要指標，是內(nèi)存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)時，在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”，而“緩沖期”的時間長度，就是這個CL。

CL值是CASLatency的縮寫，是內(nèi)存性能的一個重要指標，它是內(nèi)存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)時，在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”，而“緩沖期”的時間長度，就是這個CL了。

CL值：CL是CAS Latency的縮寫，是內(nèi)存性能的一個重要指標，它是內(nèi)存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)時，在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”，而“緩沖期”的時間長度，就是這個CL了。

內(nèi)存的CL,tRCD,tRD指什么?

內(nèi)存條時序的意思是描述同步動態(tài)隨機存取存儲器性能的四個參數(shù)。內(nèi)存時序的四個參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時鐘周期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數(shù)字，例如7-8-8-24。

DDR3 1866內(nèi)存時序為9-11-11-28 內(nèi)存時序是內(nèi)存的除頻率外的另一個重要參數(shù)，我們一般看到的CL值就是指內(nèi)存的CAS延遲時間。

分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后兩個時序參數(shù)，也就是tRAS和CMD(Command縮寫)，是其中較復雜的時序參數(shù)。目前市場上對這兩個參數(shù)的認識有一些錯誤，因為部分內(nèi)存廠商直接用它們來代表內(nèi)存性能。

內(nèi)存時序分別對應的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，具體為：CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址選通脈沖延遲時間，即SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要延遲多少個時鐘周期才執(zhí)行該指令。

以上就是小編對內(nèi)存cl值是什么的相關信息分享，希望能對大家有所幫助。

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